高濃度領域を持つ自立基板の先進的製造方法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

II族窒化物半導体からなる自立基板の製造方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、II族窒化物半導体からなる下地基板を準備し、ハイドライド気相成長法によりII族窒化物半導体層を形成する工程を含む自立基板の製造方法を提供します。一部工程では、成長温度を1120度以上とし、貫通転位密度を5X10? cm 2以下とします。また、前記II族窒化物半導体層を形成する工程では、成長温度を上昇させながらII族窒化物半導体層を形成する昇温形成工程を含みます。さらに、n型不純物の濃度が前記下地基板から遠ざかるにつれて連続的に高くなる濃度傾斜領域を形成する工程も含みます。本特許は、自立基板の製造工程を一層改良し、その品質と性能を向上させるためのものです。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業ナノテクノロジー業界

高性能半導体デバイスの製造

本特許の製造方法を使用することで、高濃度領域と濃度傾斜領域を持つ自立基板を製造することができます。これにより、高性能な半導体デバイスを生産することが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-097384
発明の名称: 自立基板の製造方法および自立基板
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-214441
登録番号: 特許第6437736号

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