革新的な窒化物半導体基板の製造方法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

炭素を不純物として含む窒化物半導体基板の製造方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、炭素を不純物として含む窒化物半導体基板の製造方法を提供します。具体的には、製造工程では炭素の濃度、シリコンの濃度、酸素の濃度、および窒化物半導体の層の成膜速度が制御されます。炭素を不純物として含む窒化物半導体層は、半導体デバイスの性能を向上させるために重要であり、本特許の製造方法は、半導体デバイスの品質と性能を一貫して高品質に保つことが可能です。また、本特許の製造方法は、既存の半導体製造プロセスに統合することが容易であり、既存の製造ラインに影響を与えることなく導入することが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業高度技術製品製造業

高品質な半導体デバイスの製造

本特許の製造方法を用いることで、炭素を不純物として含む窒化物半導体基板を製造することが可能となります。これにより、半導体デバイスの品質と性能を一貫して高品質に保つことができます。これは、電子機器製造業における競争力強化に寄与します。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2014-086189
発明の名称: 窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-207618
登録番号: 特許第6527667号

登録情報の修正申請