自立基板製造法の革新・生産性向上の新たな道筋

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

III族窒化物半導体基板の生産性を向上させる自立基板の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、異種基板とIII族窒化物層との分離位置や分離形状にばらつきが生じやすく、これがIII族窒化物半導体基板の生産性の低下を引き起こす問題を解決するための自立基板の製造方法を提供します。具体的には、下地基板上に炭化物が分散した炭素層を形成し、その上に炭化物の層を形成する。次に、この炭化物層を窒化し、その上にIII族窒化物半導体層を形成します。そして、積層体全体を、III族窒化物半導体層を形成する際の加熱よりも高い温度で加熱することで、下地基板とIII族窒化物半導体層とを分離します。この新しい製造方法により、自立基板の生産性を向上することが可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子デバイス産業光電子デバイス産業

高性能なデバイスの開発

本発明を用いることで、品質ばらつきの少ない自立基板の製造が可能となり、これにより、より高性能な電子デバイスや光電子デバイスの開発が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-077904
発明の名称: 自立基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-199616
登録番号: 特許第6427330号

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