革新的な半導体製造技術の新たな一歩

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

高品質なIII族窒化物半導体層を製造する効率的な方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

この発明は、半導体製造の新たな手法を提供します。具体的には、三次元的なファセット面を有するピットを結晶成長面に形成し、そのピットが存在する状態を維持しながら単結晶GaNを結晶成長させる方法を提供します。この製造方法を用いると、結晶欠陥を低減でき、高品質なIII族窒化物半導体層を製造することが可能になります。この製造方法は、従来の方法に比べて生産効率が向上し、単結晶GaN膜上におけるデバイスを形成できる面積が大きくなります。これにより、半導体製造業界の生産性と製品品質の向上に貢献します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業研究開発業

高品質な半導体製造

この発明を活用して、高品質なIII族窒化物半導体層を製造することができます。この製造方法により、結晶欠陥の低減と高品質な半導体製造が可能になり、製品の信頼性と性能を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-029761
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-151626
登録番号: 特許第6349101号

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