高精度な半導体基板評価の可能性を解き放つ

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

独自のピット形成工程と解析工程を活用したIII族室化物半導体基板の評価方法の開発

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、複数の転位に対応するピットが形成される不都合を軽減し、転位解析の精度を向上させることを目指す。高精度な転位解析を可能にするために、評価対象の基板に、基板の第1の面から基板の厚さ方向に伸び、基板に形成された転位と繋がり、かつ、第1の面における開口の直径Diが100nm≦Di≦500nmであり、アスペクト比(三深さDe/開口の直径Di)が3≦De/Di≦100を満たす縦長ピットを含むピットを複数形成するピット形成工程と、ピット形成工程の後、縦長ピットの数をカウントすることで、第1の面に貫通する転位の数をカウントする解析工程が含まれます。これにより、転位の数を高い精度で推定することが可能になります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業テクノロジー研究開発業

高精度な半導体製造の実現

本発明を半導体製造のプロセスに組み込むことで、転位の数を高い精度で推定できる。これにより、製品の品質と信頼性を向上させることが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-029763
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体基板の評価方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-151331
登録番号: 特許第6262561号

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