革新的な半導体製造技術、III族窒化物半導体層の生産

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

高品質なIII族窒化物半導体層を製造するための革新的な方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、下地基板に存在する転位と繋がる縦長ピットを複数形成する新しい製造方法を提供します。この方法では、下地基板の厚さ方向に伸びる縦長ピットが形成され、III族窒化物半導体が成長させられます。特に重要なのは、縦長ピットの一部分が空洞として残されることで、これにより、半導体層の品質が大幅に向上します。また、縦長ピットの開口の直径は100nmから1000nmの範囲に制限されています。この発明は、半導体製造工程における欠陥の低減と品質向上に寄与する可能性があります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造マイクロエレクトロニクス

高品質半導体層の製造

この特許の技術を利用して、高品質なIII族窒化物半導体層を製造することができます。これにより、より効率的な電子機器の生産が可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-029758
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体層およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-151330
登録番号: 特許第6315665号

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