高精細でエネルギー効率の良い薄膜トランジスタ

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

金属酸化物を用いた高性能な薄膜トランジスタを提供します。

相談したいこと

技術の特徴

当該特許は、半導体層の一部の膜厚が60nm以下、または30nm以下となるような薄膜トランジスタに関して述べています。また、半導体層がインジウム (In) 、ガリウム (Ga) 、亜鉛 (Zn) から選ばれた金属酸化物を含むこと、さらにジルコニウム (Zr)、チタン (Ti) 、タングステン、タンタル (Ta) 、ハフニウム (Hf) 、スカンジウム (Sc) 、イットリウム (Y) 、ランタン (La)、プラセオジム (Pr)、ネオジム (Nd) 、ガドリニウム (Gd) 、アルミニウム (Al) 、ボロン (B) および炭素 (C) から選ばれた元素をさらに含むことにより、高性能な薄膜トランジスタが得られます。さらに、ソース電極およびドレイン電極のうち少なくとも一方と半導体層との界面が3次元構造を有するように形成することで、高いチャネル移動度と低い消費電力を実現しています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業半導体産業ディスプレイ製造業

高精度ディスプレイの開発

当該特許の薄膜トランジスタは、その高いチャネル移動度と低い消費電力から、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として活用できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-016635
発明の名称: 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2015-144176
登録番号: 特許第6308583号

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