先進的な酸化物半導体技術

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

独自製造方法による電子キャリア生成可能な金属酸化物

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、特定の金属（ケイ素、タングステン、タンタル、ランタン、ハフニウム）から選択された酸化物を含む酸化物半導体に関するもので、これを利用した半導体装置やその製造方法についても詳述しています。また、酸化物半導体の厚さや成分の含有量についても詳細に規定されており、その厳密な設計により、高品質で安定した性能を発揮します。酸化物半導体は非卓質であり、その結果として優れた電子キャリア生成能力を有しています。また、特定の酸化物半導体は酸素欠損を導入することにより電子キャリアを生成できるとされており、これによりより効率的な電子運動を実現しています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業半導体業界電気通信業

高性能半導体の製造

本技術を用いることで、電子キャリアの生成が可能な金属酸化物を含む高性能な酸化物半導体を製造することができます。これにより、より高度な電子機器の製造が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-016631
発明の名称: 酸化物半導体およびその製法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2015-144172
登録番号: 特許第6252904号

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