革新的酸化物薄膜トランジスタ技術の新時代

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

高性能な薄膜トランジスタとその製造方法を提供する特許

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として好適な薄膜トランジスタとその製造方法を提供します。主に酸化インジウム構造への酸素脱離により酸素欠損が導入され、その結果、電子が遊離し、これが電流を生成して半導体層として働くと言われています。また、薄膜トランジスタの半導体層において、各種金属や窒素等の元素による薄膜トランジスタの性能向上を図るため、半導体層に金属酸化物を導入する工程も提案しています。この特許は、液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなど、様々なディスプレイ製造技術に対して新たな可能性を開きます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子技術半導体産業ディスプレイ製造

高精度ディスプレイの製造

本特許の薄膜トランジスタ技術は、より高精細なディスプレイの製造に活用できます。特に、スイッチング素子としての性能向上により、画質の向上や動画再生時の応答性向上等の効果が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-016630
発明の名称: 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2015-144171
登録番号: 特許第6261125号

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