進化する薄膜トランジスタ: 高精度なディスプレイに革新をもたらす

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

本発明は、特性向上を追求した薄膜トランジスタ製造方法に関して、特に層の厚さや金属酸化物の含有量に注目しています。

相談したいこと

技術の特徴

特許JP 6252903 B2は、薄膜トランジスタおよびその製造方法について述べています。層が非晶質であり、層の厚さが5nm以上かつ20nm以下であることが特徴的です。さらに、特定の金属酸化物を選択的に使用し、その含有量も0より大きく50重量%以下または5重量%以下であることが求められます。層の形成においても、特定の範囲内で操作されます。この発明により、薄膜トランジスタの特性が向上し、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として有効に利用できます。また、消費電力の低減も可能となります。

AIによる特許活用案

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高精細ディスプレイの開発

本発明の薄膜トランジスタは、その特性向上と消費電力の低減から、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイの開発に活用することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2014-016273
発明の名称: 薄膜トランジスタおよびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2015-144154
登録番号: 特許第6252903号

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