光電子デバイスの可能性を広げる、新たな酸化ガリウム薄膜技術

高知県公立大学法人

高知県高知市永国寺町２−２２

この技術でできること

高品質な光電子デバイスの製造を可能にする、導電性を持った酸化ガリウム薄膜の開発についての特許

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、酸化ガリウムをベースにした光検知器や発光ダイオード、トランジスタの開発について述べています。酸化ガリウムは通常、非導電性であるため、導電性を持たせるためのドーパントの添加が必要となります。本特許では、この導電性を持たせた酸化ガリウム薄膜の製造方法について詳述しています。一方で、この酸化ガリウム薄膜の製造は特定の結晶系を必要とし、他の材料との整合性が難しく、また高い基板温度や真空度が必要となるなどの課題があります。しかし、本特許ではこれらの問題を解決するための新しい方法を提案し、光電子デバイスの製造に適した酸化ガリウム薄膜の開発を可能にします。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体電子部品光電子デバイス

高性能光電子デバイスの製造

本特許の技術を用いて、高性能な光電子デバイスの製造が可能になります。特に、導電性を持つ酸化ガリウム薄膜を使用することで、従来よりも高品質なデバイスを製造することが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-046298
発明の名称: ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
出願人／権利者: 高知県公立大学法人
住所: 高知県高知市永国寺町２−２２
公開番号: 特開2015-134717
登録番号: 特許第5987229号

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