高性能を持つ新世代の光電変換素子

日本放送協会

この技術でできること

カルコバパイライト型半導体を主体とする光電変換素子で、暗電流を低減し、高SN比を実現した。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、カルコバパイライト型半導体を主体とする光電変換素子に関するもので、特にキャリア濃度と抵抗を調整したノンドープの酸化ガリウム層を用いて、暗電流を低減し、高SN比を実現することが可能です。その結果、イメージセンサとしての性能を向上させることが可能で、具体的には、p型半導体層とn型半導体層との間の空乏層がp型半導体層側に拡がる構造を持つことで、電界印加動作時の暗電流の増大を抑え、S/N特性を向上させることができます。さらに、n型半導体層は、酸素欠陥または不純物注入によってキャリア濃度が増大された酸化ガリウム層で構成されることで、良好なpn接合を実現しています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業光学機器製造業電子部品製造業

高性能イメージセンサの開発

この技術は、カメラやスキャナなどのイメージセンサの性能を向上させるために活用することができます。暗電流の低減と高SN比の実現により、よりクリアでノイズの少ない画像を得ることが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2014-203923
発明の名称: 光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2015-099915
登録番号: 特許第6463937号

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