反りを低減した自立基板の製造方法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

本発明は、反りを低減した自立基板を科便な工程で提供する製造方法に関するものです。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、反りを低減した自立基板の製造方法について述べています。具体的には、窒化物半導体からなる下地基板を準備し、該下地基板上に炭素を不純物として導入しながら第1の窒化物半導体層を形成します。そして、第1の窒化物半導体層の上に、厚さが50m以上である第2の窒化物半導体層を形成します。この工程において、第1の窒化物半導体層に含有される炭素の濃度が、下地基板から厚み方向に遠ざかるにつれて連続的に高くなるように形成します。これにより、反りを低減した自立基板を効率的に製造することが可能となります。

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この製造方法を用いることで、反りが低減された高品質な自立基板を効率的に作ることができます。これにより、製品の信頼性と耐久性を高めることができ、製品の価値を向上させます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-238738
発明の名称: 自立基板の製造方法および自立基板
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-098413
登録番号: 特許第6250368号

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