革新的なII族窒化物半導体自立基板の製造技術

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

積層膜の膜厚を管理し、純度の高いII族窒化物半導体自立基板を製造する方法。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、半導体の膜厚に焦点を当て、特にII族窒化物半導体自立基板の製造を改善するための技術を提供します。この製造方法では、積層膜の全体の膜厚よりも厚いII族窒化物半導体層を使用します。さらに、半導体層はアンドープ半導体層または一定のn型不純物を含む層で構成されます。第1および第2の半導体層の膜厚は、それぞれの層が前記積層膜全体の膜厚よりも厚くなるように管理されます。そして、これらの半導体層は、HVPEやMOVPEなどの技術を用いて形成されます。さらに、各半導体層の厚さは50nm以上であり、積層のサイクルは10回以上繰り返される。シリコンのドープも可能で、積層体の加工前に積層膜の一部または全体が取り除かれます。

AIによる特許活用案

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高品質な半導体製造

高品質な半導体の製造を目指す企業は、この特許の技術を活用して、厚みを調整した半導体層を使用することで製品の品質と性能を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-236527
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-096453
登録番号: 特許第6224424号

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