高度に制御可能な量子カスケードレーザー素子

国立研究開発法人理化学研究所

埼玉県和光市広沢２番１号

この技術でできること

高い電子存在確率を持つ量子カスケードレーザー素子で、特定の周波数の電磁波の誘導放出を抑制することが可能です。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、量子カスケードレーザー素子に関するもので、特定の周波数の電磁波の誘導放出を抑制する能力を持つ。特定のエネルギー値の電子を受け取り、隣接する後段の単位構造に電子を移送することが可能。また、特定のバイアス電界下では、第1ウェル層に高い電子存在確率を持つことが可能。これにより、特定の周波数の光子の誘導放出が抑制される。また、特定の組成を持つウェル層やバリア層の厚みを制御することで、更に細かな制御が可能になる。

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この量子カスケードレーザー素子は、特定の周波数の電磁波の誘導放出を抑制する能力があるため、これを通信装置に応用することで、特定の周波数帯域のノイズを抑制することが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-226195
発明の名称: 量子カスケードレーザー素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人理化学研究所
住所: 埼玉県和光市広沢２番１号
公開番号: 特開2015-088630
登録番号: 特許第6161160号

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