革新的な半導体製造技術

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

独自のエッチング技術により、高品質なIII族窒化物半導体層を製造する方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、エッチング液を用いて保護膜と下地基板の一部を除去し、縦長ピットの開口側を拡張して幅広ピット部分を形成する工程、さらに保護膜を除去する工程を含むIII族窒化物半導体層の製造方法を提供します。ピット形成工程の後には、複数の漏斗形状ピットの少なくとも一部が縦長ピット部分において転位と繋がるように設計されています。さらに、第2の保護膜形成工程も含まれ、これは下地基板の第2の面上にエッチング液にエッチングされ難い保護膜を形成します。最終的には、III族窒化物半導体を横方向に成長させる工程が続きます。この方法は、半導体製造における品質と効率性を向上させる可能性があります。

AIによる特許活用案

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高品質半導体製造への応用

この特許を活用することで、半導体製造業者は高品質なIII族窒化物半導体層を効率的に製造することが可能となります。これにより製品の信頼性を向上させ、顧客満足度を高めることが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-212913
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-074591
登録番号: 特許第6178206号

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