省エネルギーで低コスト！新時代の炭素系皮膜形成装置

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

高エネルギーと高コストを必要としない新しい炭素系皮膜の形成装置を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、炭素系皮膜の形成方法および装置に関するもので、従来のCVD法やPVD法などの高エネルギーかつ高コストのプロセスを用いずに、炭化水素系ガスを容器内に存在させた状態で、粒状体を金属体の表面に衝突させるだけの簡単な操作で炭素系皮膜を形成する技術に関するものです。この方法では、省エネルギーで低コストな炭素系皮膜を形成でき、装置の初期コストだけでなくランニングコストも抑えられます。ボールインパクト法を利用して、コーティング膜を短時間で形成することが可能で、このプロセスは常温・常圧・空気中で行われ、エネルギー消費とコストが非常に低いのが特長です。

AIによる特許活用案

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機械部品の表面強化

炭素系皮膜は非常に硬く、耐摩耗性が高い特性を持つため、機械部品の表面強化に使用することができます。この新しい形成装置を用いれば、省エネルギーかつ低コストで部品の耐久性を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2013-200739
発明の名称: 炭素系皮膜の形成方法、及び、形成装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2015-067842
登録番号: 特許第6103644号

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