大面積の単結晶ダイヤモンド基板の製造への革新的なアプローチ

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

本特許は、単結晶ダイヤモンド種基板の製造方法について述べています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は単結晶ダイヤモンド基板の製造法について詳述しています。この製造法は、種基板のオフ方向と種基板の生線との成す角度が90度未満であること、そして、種基板の稼線が20mmを超えることを特徴としています。これは、半導体デバイス用の材料として期待されているダイヤモンドの製造を容易にするためのものです。従来の製造法では、大面積の均質な単結晶ダイヤモンドからなるウェハーの製造が困難でした。しかし、本特許の手法では、気相成長法によりダイヤモンドの結晶成長を促進し、大面積の単結晶ダイヤモンドを製造することが可能になります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業高度素材業

大面積の単結晶ダイヤモンド基板の大量生産

従来は面積の制限があった単結晶ダイヤモンド基板の製造が、本特許により可能になります。これにより、より大量の単結晶ダイヤモンド基板の生産が可能となり、生産効率が向上します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-205154
発明の名称: 単結晶ダイヤモンドの製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2015-067517
登録番号: 特許第6274492号

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