高品質で大面積の単結晶ダイヤモンドウェハの製造

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

本特許は、結晶学的性質とオフ角を考慮した単結晶ダイヤモンドの製造方法に関するものである。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、半導体材料として期待されている単結晶ダイヤモンドの製造方法に関する。大面積の均質な単結晶ダイヤモンドからなるウェハが必要であり、本発明では、その製造方法について詳細に説明している。具体的には、基板上に単結晶ダイヤモンドを成長させる方法を提供し、この方法は高品質のダイヤモンドの合成に適用可能である。しかし、気相法によるダイヤモンドのエピタキシャル成長においては、多数の異常成長粒子や成長丘などの欠陥が発生し易く、大面積の単結晶ダイヤモンドの合成は容易ではないという課題がある。本発明では、これらの課題を解決するための具体的な製造方法を提供している。

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本特許の技術を利用することで、より高品質な単結晶ダイヤモンドウェハを製造することが可能となる。これにより、高性能な半導体デバイスの開発に寄与することができる。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-205146
発明の名称: 単結晶ダイヤモンドの製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2015-067516
登録番号: 特許第6312236号

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