高速・高信頼性の三端子型不揮発性記憶素子

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

界面ダイポールの強度を変化させることで情報を記憶する新型不揮発性記憶素子

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体基板上に形成された半導体領域間の表面に金属元素、酸素、半導体が化学結合された層、金属元素以外の金属元素を含む絶縁膜、金属電極を積層することで構成された電界効果型トランジスタ構造を備えた三端子型の不揮発性記憶素子を提供します。ゲート電極に与える電気信号により半導体基板と絶緑膜との間に誘起される界面ダイポールの強度を変化させることで情報を記憶します。これにより、NAND型フラッシュデバイスの微細化の物理的限界を克服し、高集積・大容量化が可能な新たな不揮発性記憶素子を実現します。また、書き換え耐性が高く、読み出し・書き込み速度も向上し、信頼性の高い情報記憶装置を提供します。

AIによる特許活用案

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高性能な情報記憶装置の開発

高集積・大容量化が可能で、書き換え耐性が高く、読み出し・書き込み速度も向上した情報記憶装置を開発することが可能です。これにより、携帯端末等の情報機器に組み込まれる情報記憶装置の性能を向上させ、ユーザーエクスペリエンスを向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-192920
発明の名称: 不揮発性記憶素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2015-060911
登録番号: 特許第6145756号

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