革新的なエコ技術、光吸収層の作製方法

国立大学法人　宮崎大学

宮崎県宮崎市学園木花台西１－１

この技術でできること

化合物半導体を用いた薄膜太陽電池の光吸収層の作製方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、化合物半導体を用いた薄膜太陽電池の光吸収層の作製方法に関するもので、低温かつ非真空プロセスで製造可能な製法を提供します。具体的には、鉛、スズ、インジウムを原子とする金属錯体を使用し、金属錯体合成後の液体状態で使用することで効率的に光吸収層を作製することが可能です。さらに、溶媒としてテトラヒドロフロンを使用し、不活性ガスとして窒素やヘリウム、アルゴンを活用します。製造工程は複数回繰り返し、膜厚を厚くすることで高品質な光吸収層を作り出します。

AIによる特許活用案

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低コスト太陽電池の量産

この特許を活用することで、低コストかつ高効率の太陽電池の量産が可能となります。低温かつ非真空プロセスで光吸収層を作製できるため、製造コストを大幅に削減することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-185404
発明の名称: 化合物半導体ナノ粒子による光吸収層の作製方法
出願人／権利者: 国立大学法人　宮崎大学
住所: 宮崎県宮崎市学園木花台西１－１
公開番号: 特開2015-053392
登録番号: 特許第6209796号

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