革新的な導電性ブリッジメモリ装置の生産方法への突破口

国立大学法人鳥取大学

鳥取県鳥取市湖山町南４－１０１

この技術でできること

電気化学的に活性な金属上にメモリ層となる多孔質膜体を形成し、その上に電気化学的に安定な金属を形成する製造方法。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、電子デバイスのメモリ技術における新たな製造方法を提供します。具体的には、電気化学的に活性でイオン化し易い第1の金属上にメモリ層となる多孔質膜体を形成し、その上に非極性から強極性の有機溶媒、酸・塩基・塩類の水溶液またはイオン液体を滴下または塗布します。その後、多孔質膜体内にこれらの液体を吸収させ、多孔質膜体上に電気化学的に安定な第2の金属を形成します。この製造方法を特徴とする導電性ブリッジメモリ装置は、高速・高集積・低消費電力といった優れた特性を持つことから、微細化限界に直面する現行のフラッシュメモリの代替となる可能性があります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業情報通信業データセンター業界

高性能なメモリデバイスの開発

本特許の技術は、高速・高集積・低消費電力のメモリデバイスの開発に活用することが可能です。これにより、次世代のパソコンやスマートフォン、サーバーなどの電子機器の性能向上に寄与することが期待されます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-178124
発明の名称: 導電性ブリッジメモリ装置及び同装置の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人鳥取大学
住所: 鳥取県鳥取市湖山町南４－１０１
公開番号: 特開2015-046548
登録番号: 特許第6195155号

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