光の力で未来を照らす、次世代薄膜太陽電池の製造方法

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

高効率化合物薄膜太陽電池の製造方法を特許化。レーザースクライブ工程を活用した革新的な手法で、太陽エネルギーの効率的な利用を実現します。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、化合物薄膜太陽電池の製造方法を提供します。レーザースクライブ工程により、基板上の背面電極層と光吸収層を含む構造体を分割し、これを多数の薄膜太陽電池セルとして組み合わせます。また、特定の照射条件下でパルスレーザー光を用いて透明導電膜層に溝を形成することで、積層構造部分の端部を除去します。これらの工程により、化合物薄膜太陽電池の製造が可能となります。さらに、パルスレーザー光のパルス幅はピコ秒又はフェムト秒オーダーの超短パルスレーザーを用いること、パルスエネルギー容度は光吸収層のレーザーアブレーションが起こる関値以下であることが特徴となっています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 エネルギー産業電子機器製造業建築業

高効率太陽電池の製造・販売

この特許の製造方法を活用して、高効率の化合物薄膜太陽電池を製造し、市場に提供することが可能です。環境に優しく、省資源・低コスト化に有利な太陽電池は、再生可能エネルギー需要の増加と共に需要が見込まれます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-162235
発明の名称: 化合物薄膜太陽電池の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2015-032731
登録番号: 特許第6202308号

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