フッ素フリーで高純度の金属薄膜を製造する新規製膜方法

大陽日酸株式会社

東京都品川区小山１－３－２６

この技術でできること

基板に損傷を与えず、高純度の金属薄膜を得ることが可能な金属薄膜の製膜方法が提供されます。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、化学反応を用いた薄膜堆積法によって基板の表面に金属薄膜を製膜する方法を提供します。この製膜方法は、基板を350-400℃の範囲で加熱し、所定のフッ素フリーのタングステン膜の原料を用いて形成した金属窒化膜について、水素雰囲気下で加熱することにより窒素原子を除去することができます。この方法は、従来のスパッタリング製膜手法が段差被覆性に劣るという問題を解決します。また、フッ素によって基板に損傷を与えることなく、高純度の金属薄膜を得ることが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業化学産業材料科学

高純度の金属薄膜の製造

本特許により、フッ素による損傷を避けながら、高純度の金属薄膜を製造することができます。これにより、半導体デバイスの製造工程で用いられる金属薄膜の品質を改善し、デバイスの性能を向上させることが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-151105
発明の名称: 金属薄膜の製膜方法
出願人／権利者: 大陽日酸株式会社
住所: 東京都品川区小山１－３－２６
公開番号: 特開2015-021175
登録番号: 特許第6116425号

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