高速で半導体を洗浄！一成分極低温微細固体粒子連続生成装置

国立大学法人東北大学

宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉６－６－１０　未来科学技術共同研究センター２階

この技術でできること

ヘリウムガスを使用せず、一成分で極低温の微細固体粒子を連続して生成する装置とその方法

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、半導体の洗浄に用いる一成分極低温微細固体粒子を連続生成する装置およびその方法に関する。特に、高価で入手が難しいヘリウムガスを使用せずに、水素、酸素、アルゴンなどの過冷却液体と同一の元素で構成される極低温気体を用いて、一成分極低温微細固体粒子を連続生産することができる。この装置は、混合部とラバルノズル部を有し、混合部で過冷却液体と極低温気体の高速流を混合して一成分混相流を生成し、ラバルノズル部で混相流を導入し、音速を超えた状態で断熱膨張させて噴霧流を生成する。これにより、一成分極低温微細固体粒子を含む噴霧流を連続して生成することが可能となる。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業ナノテクノロジー清掃業

高速半導体洗浄

本装置は半導体製造プロセスにおける洗浄工程で活用可能。従来のウェット洗浄プロセスに比べて洗浄速度が高く、より効率的な製造プロセスを実現することができる。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-125074
発明の名称: 一成分極低温微細固体粒子連続生成装置、および、その一成分極低温微細固体粒子連続生成方法
出願人／権利者: 国立大学法人東北大学
住所: 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉６－６－１０　未来科学技術共同研究センター２階
公開番号: 特開2015-002221
登録番号: 特許第6153110号

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