信頼性向上を実現するS iC基板の表面処理方法

学校法人関西学院

兵庫県三田市学園２－１

この技術でできること

高温環境に対応し、半導体素子の信頼性を向上させるS iC基板の表面処理方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、S iC基板の表面処理方法に関するもので、エッチング速度を調節する工程、特定の温度範囲での加熱工程、基板の表面特性に応じた加熱条件の設定等を特徴とします。特に、基板の表面がS iC分子の積層方向の1周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端していることを特徴とする表面処理方法が提供されます。これにより、半導体素子の利用分野が急速に拡大する中で、高温環境等の過酷な条件下で使用される機会も増加する半導体素子の信頼性を向上させることが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造電子機器製造自動車製造

高温環境での半導体素子の信頼性向上

本特許の表面処理方法を用いることで、高温環境で使用する半導体素子の信頼性を向上させることが可能です。これにより、自動車や産業機器などの高温環境で使用する電子機器の品質を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-125020
発明の名称: ＳｉＣ基板の表面処理方法
出願人／権利者: 学校法人関西学院
住所: 兵庫県三田市学園２－１
公開番号: 特開2015-002218
登録番号: 特許第6080075号

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