高温環境でも信頼性の高い半導体素子の製造法

学校法人関西学院

兵庫県三田市学園２－１

この技術でできること

SiC層を用いた半導体素子の製造方法で、特定の温度範囲とSiの圧力下で加熱することを特徴とします。

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、SiC層を用いた半導体素子の製造方法を提供します。特定の温度範囲とSiの圧力条件下で加熱することが特徴です。この方法では、化学蒸気蒸着法や液相エピタキシャル法を用いてエピタキシャル層を形成することが含まれます。また、イオン活性化工程や第2除去工程でも特定の温度と圧力で加熱することが特徴です。さらに、特定のオフ角を持つSiC層の表面を形成することや、SiC分子の積層方向の1周期分または半周期分で終端することを特徴としています。これにより、高温環境でも耐えうる信頼性の高い半導体素子を製造することが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業自動車製造業

高温環境での電子機器の信頼性向上

本特許の半導体素子の製造方法は、高温環境で使用される電子機器の信頼性を向上させることができます。特に、自動車や航空機のエンジン制御システムなど、厳しい環境で使用される電子機器に適用することで、その性能を向上させることが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-125018
発明の名称: ＳｉＣ半導体素子の製造方法
出願人／権利者: 学校法人関西学院
住所: 兵庫県三田市学園２－１
公開番号: 特開2015-002217
登録番号: 特許第6057292号

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