革新的な半導体基板製造技術

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

III族窒化物半導体基板の製造方法に関する特許。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、III族窒化物半導体基板の製造方法に関するもので、熱処理を積層体に適用し、前述の積層体をIII族元素の液体に浸漬させるという製造工程を含んでいます。この過程は、積層体の固着力を低減し、特定の半導体層から基材層が剥離することを可能にします。さらに、III族窒化物半導体層のエピタキシャル成長を行う前に、厚さ600m以下であるIII族窒化物半導体層を形成します。また、熱処理を行う際には、複数の積層体を用意し、これらを容器に収容します。最終的に、これらの積層体を容器内のIII族元素の液体に浸漬させます。これにより、先進的なIII族窒化物半導体基板を効率的に製造することが可能となります。

AIによる特許活用案

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高性能な半導体の製造

本特許の技術を用いて、高品質かつ効率的にIII族窒化物半導体基板を製造することが可能です。これにより、高性能な電子デバイスや光デバイスの製造に役立ちます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-079577
発明の名称: 下地基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2014-201493
登録番号: 特許第6091969号

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