高品質なIII族窒化物半導体基板を実現する新たな製造方法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

本特許は、III族窒化物半導体の下地基板の製造方法に関するもので、生産性と品質の向上を図ることが可能。

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、異種基板とIII族窒化物層との線膨張係数差に起因する応力を利用して分離する新たな方法を提案します。炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウム、炭化タンタルから選択される炭化物層を基材層上に形成し、その後炭化物層を窒化します。その上にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させ、その後高温で熱処理を行い、基材層とIII族窒化物半導体層とを剥離します。これにより、高品質なIII族窒化物半導体の下地基板を得ることができます。この製造方法を用いれば、生産性の向上と品質安定化が期待できます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業光通信業

高品質な半導体基板の製造

本特許の製造方法を用いることで、一貫して高品質なIII族窒化物半導体基板を製造することが可能となります。これにより、製品の品質のばらつきを減らし、生産性を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-079566
発明の名称: 下地基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2014-201491
登録番号: 特許第6144525号

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