革新的な高速・大容量メモリ技術：スピン注入磁化反転素子

日本放送協会

この技術でできること

磁化方向の変化を利用した高速・大容量の磁気メモリ技術と光変調素子の開発。

相談したいこと

技術の特徴

スピン注入磁化反転素子は、2層以上の磁性膜を備えており、電極から供給される電流により、磁化方向が変化します。この磁化方向の変化により、磁性膜同士の磁化が同じ方向や異なる方向となる時の上下の電極間の抵抗が変化し、これを利用して1ビットのデータの書込み読出しを行うことができます。この技術は、その寸法が極めて小さく、磁化反転の動作が高速であるため、大容量の磁気メモリとして活用が期待されています。さらに、スピン注入磁化反転素子は、空間光変調器の画素に搭載される光変調素子としても利用可能で、磁性膜の磁化方向を反転させることにより、光の偏光の向きを2個に変化させることが可能です。

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高速・大容量の新世代メモリとしての利用

スピン注入磁化反転素子は、その高速な動作と極小の寸法により、大容量の磁気メモリとしてMRAMの開発に活用されるべきです。これにより、データの書き込みと読み出しの速度を大幅に向上させることが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2014-029994
発明の名称: スピン注入磁化反転素子
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2014-197671
登録番号: 特許第6329384号

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