プレーナ型電極構造を持つ半導体発光素子の製造

国立大学法人豊橋技術科学大学

愛知県豊橋市天伯町雲雀ケ丘１－１

この技術でできること

高密度に集積した発光素子アレイの製造を可能にする技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体発光素子およびその製造方法に関するもので、特にプレーナ型電極構造を持つ半導体発光素子およびその製造方法に関するものです。発光素子アレイの集積度を上げることが困難な状況を解決するための技術であり、p型層を除去することなくn側電極を形成することが可能です。これにより、複雑なバンプ形成工程を省略し、人作製工程を簡素化します。また、比較的面積の小さいバンプが変形することにより短絡する問題も解決します。この技術により、高密度に集積された発光素子アレイを安定的に製造することが可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業照明器具製造業

高密度LED表示パネルの製造

本特許技術を利用することで、高密度に集積されたLED発光素子アレイを製造することが可能となります。これにより、高解像度かつ高輝度のLED表示パネルを製造することが可能となります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2013-067937
発明の名称: 半導体発光素子およびその製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人豊橋技術科学大学
住所: 愛知県豊橋市天伯町雲雀ケ丘１－１
公開番号: 特開2014-192411
登録番号: 特許第6172658号

登録情報の修正申請