革新的な圧電MEMSデバイス、高いc軸配向性を持つ圧電薄膜を実現

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

本特許は高いc軸配向性を持つ圧電薄膜を実現するための圧電MEMSデバイスとその製造方法について述べています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、導体加工プロセスにより作製される構造体、支持基板、圧電薄膜を備える圧電MEMSデバイスについて提供します。特に、圧電薄膜は構造体において少なくとも機能部に設けられ、持基板の成形後に行われる交流電圧印加処理または片側電圧印加処理により、c軸配向性が高められています。これにより、圧電特性の高いデバイスを実現します。また、圧電薄膜は、チタン酸ジルコン酸鉛からなり、正方卓を含むモルフォトロビピック相境界組成とされています。本特許はまた、該圧電MEMSデバイスの製造方法も開示しており、支持基板を成形した後に交流電圧印加処理または片側電圧印加処理を行うことを特徴としています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業半導体製造業医療機器製造業

高性能な圧電デバイスの開発

本特許の製造方法を用いて、高いc軸配向性を持つ圧電薄膜を持つ圧電デバイスを開発することが可能です。これにより、高い圧電特性を持つデバイスを実現し、さまざまなアプリケーションでの使用に適した製品を開発することが可能になります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2014-033068
発明の名称: 圧電ＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2014-187362
登録番号: 特許第6325280号

登録情報の修正申請