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革新的なリセット可能光センサー: 高性能、高信頼性

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現1-2-1

この技術でできること

酸化物半導体を用いた光センサーで、光照射によるSN比の低下や応答性の低下を防止します。

技術の特徴

本特許は、酸化物半導体を用いたリセット可能光センサーに関するもので、光照射によってセンサー内に生じたキャリアが光照射後に長時間残在することによるSN比の低下、時間変化する光に対する応答性の低下などの悪影響を防止する技術です。酸化物半導体の内部に欠陥を生成させる欠陥生成工程と、欠陥を消滅させる欠陥消滅工程を含むことで、光照射した結果その内部に生成された残留キャリアを消滅させることが可能です。これにより、時間変化する光に対する応答性が向上し、SN比の低下を防ぐことができます。

関連キーワード

光センサー酸化物半導体SN比向上応答性向上残留キャリア消滅

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高性能な光センサーの開発

この特許技術を用いて、高性能な光センサーを開発することができます。時間変化する光に対する応答性が向上し、SN比の低下を防ぐことが可能なため、より精度の高い光センサーの製造が可能となります。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2013-054733
発明の名称
リセット可能光センサー及び光センサーのリセット方法
出願人/権利者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所
茨城県つくば市千現1-2-1
公開番号
特開2014-181925
登録番号
特許第6095059号
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