革新的な酸化物薄膜トランジスタの製造方法

高知県公立大学法人

高知県高知市永国寺町２−２２

この技術でできること

オゾン導入と特殊な化学反応を用いた酸化物薄膜トランジスタの製造法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、オゾンを導入しながら金属酸化物絶縁体からなるゲート絶縁膜と、金属酸化物半導体からなるチャネル層を形成する酸化物薄膜トランジスタの製造方法を提供します。特に、金属化合物を溶解した霧化された原料溶液を基板近傍で化学反応させることにより、ゲート絶縁膜とチャネル層が形成されます。この方法は、亜鉛を含む金属酸化物半導体や、アセチルアセトナート化合物、酢酸化合物、塩化物、硫化物、硝酸化合物、アンモニウム化合物、炭酸化合物等の金属化合物を用いることが可能です。また、特殊な構造の成膜室を利用し、基板表面と成膜室の内壁との距離や原料ガスの速度を制御することで、高品質な薄膜の生成が可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界電子工学化学工業

次世代の電子デバイス開発

高品質な酸化物薄膜トランジスタの製造法として、本特許は次世代の電子デバイス開発に活用できます。特に、高性能な半導体素子の開発において有用です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-023862
発明の名称: オゾン支援による高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、及び、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタの製造方法
出願人／権利者: 高知県公立大学法人
住所: 高知県高知市永国寺町２−２２
公開番号: 特開2014-154734
登録番号: 特許第6103633号

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