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革新的な半導体製造:効率的な研磨と切断技術

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)

この技術でできること

本特許は、半導体ウエハの効率的な研磨と切断を可能にし、基材へのダメージを低減する技術について述べています。

技術の特徴

本特許では、半導体ウエハの研磨と切断における新しい手法を提案しています。特に、硬度が非常に高い半導体材料であるS iCの研磨と切断に必要とされていたダイヤモンドやCBNの代わりに、比較的安価なアルミナ、炭化ケイ素、二酸化ケイ素(シリカ)、酸化ジルコニウム、酸化セリウムなどを使用することで、製造コストを抑えつつ、効率的な研磨と切断を可能にします。また、この技術では、S iCに電解液を浸漬し、電解加工を行うことで、基材へのダメージを低減し、精度の高い加工を実現します。これにより、半導体製造における歩留まりの改善と生産性の向上が期待できます。

関連キーワード

半導体製造研磨技術切断技術電解加工デバイスウエハ

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低コストな半導体製造プロセスの開発

この特許を活用することで、半導体ウエハの研磨と切断においてコストを大幅に削減することができます。これにより、製造コストを下げるとともに、生産性を向上させることが可能です。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2012-271341
発明の名称
半導体ウエハの加工装置
出願人/権利者
国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所
茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)
公開番号
特開2014-113677
登録番号
特許第6041301号
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