革新的な半導体モジュールで高パワー化を実現

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

高パワー素子用の新型半導体モジュールが、パワーチップの実装方法を革新し、高電流・高密度化を可能にします。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体チップと一対のモジュール基板を活用した新型半導体モジュールに関するものです。半導体チップは、固相-固相接合用の電極を備えた第一の電極面と、リフロー接合の電極を備えた第二の電極面を有します。また、一対のモジュール基板は、固相-固相接合用の電極とフリップチップにより接合された表面配線層の電極を備える第一のモジュール基板と、リフロー接合用の電極とはんだリフローにより接合された表面配線層の電極を備える第二のモジュール基板からなります。さらに、半導体チップの少なくともいずれかの電極面には、面積の異なる複数の電極が形成されています。これにより、高電流、高密度化が進展するパワー素子に対応し、パワーモジュールの高パワー化を実現します。

AIによる特許活用案

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高性能電子機器の開発

この特許技術を利用した新型半導体モジュールを用いることで、高電流・高密度化を実現した高性能電子機器の開発が可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2012-261438
発明の名称: 半導体モジュール
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2014-107506
登録番号: 特許第6041262号

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