グラフェン膜を活用した革新的電子デバイス

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

高い導電性と光透過率を持つグラフェン膜を使用した電子デバイスの開発

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、絶縁膜、グラフェン膜、コンタクト電極、第2の絶縁膜、電極剥離防止層、取り出し電極を含む電子デバイスに関するものである。特に、電極とグラフェン膜との間に剥離防止層を設けることで、電極の剥離を防止する機能を持つ。これにより、グラフェン膜の高い導電性と光透過率を活用し、耐久性と信頼性を高めた電子デバイスの製造が可能となる。さらに、高いスループットで大面積の成膜が可能なため、大量生産にも対応できる。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業半導体業界研究開発

高性能電子デバイスの開発

本特許の技術を活用して、グラフェン膜の高い導電性と光透過率を活用した高性能な電子デバイスを開発することが可能です。特に、電極剥離防止機能により、製品の耐久性と信頼性が向上します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2012-234901
発明の名称: グラフェン膜の電極接続構造
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2014-086592
登録番号: 特許第6052730号

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