革新的な太陽電池製造法：単結晶SiGe層の形成

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

より効率的な太陽電池を生み出すための新たな単結晶SiGe層の製造方法。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、単結晶SiGe層の製造方法とそれを用いた太陽電池の製造方法に関するものです。特に、シリコン基板上に単結晶シリコン・ゲルマニウム (SiGe) 層を形成する技術に関して詳述しています。この技術は、従来のシリコン基板を利用した太陽電池の光吸収層に対して、光吸収係数が高く、光電変換効率の向上が期待されます。また、本発明により、格子定数を段階的に大きくした複数のSiGe半導体層をSi基板上に形成することが可能となります。さらに、光吸収層、半導体接合層、透明電極層などを有する太陽電池の製造も提供します。

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本特許の技術を利用して、光電変換効率が高い太陽電池を製造することが可能です。これにより、既存の太陽電池よりも高いエネルギー効率を実現し、電力供給の安定化やコスト削減に寄与することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2012-198489
発明の名称: 単結晶ＳｉＧｅ層の製造方法及びそれを用いた太陽電池
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2014-053545
登録番号: 特許第6004429号

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