革新的な熱電能向上法とその試験方法

国立大学法人弘前大学

青森県弘前市文京町１

この技術でできること

絶縁性基板上に形成された熱電半導体と、その上に形成された保護被膜を有する熱電半導体装置の熱電能向上方法および熱電能試験方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、熱電半導体の引き出し電極間に温度差を与えることで熱電能を取得し、その後エレクトロマイグレーションを導入することで熱電能を再取得、比較する熱電能試験方法を提供します。これにより、エレクトロマイグレーション導入後の熱電能を評価することが可能となります。さらに、この方法は保護被膜を有しているか否かによる熱電能の違いを比較することができます。したがって、保護被膜の影響を評価し、最適な保護被膜の選択や改良に役立てることが可能です。また、絶縁性基板は二酸化シリコン被覆基板であり、保護被膜はポリイミドド保護被膜であることが推奨されています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業エネルギー業界

熱電能向上のための材料選択

この特許の方法を用いて、保護被膜の材料や絶縁性基板の材料を選択することで、熱電半導体装置の熱電能を向上させることが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2012-196584
発明の名称: 熱電半導体装置の熱電能向上方法および熱電能試験方法
出願人／権利者: 国立大学法人弘前大学
住所: 青森県弘前市文京町１
公開番号: 特開2014-053432
登録番号: 特許第6090975号

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