革新的な半導体技術を活用した電荷密度計算

日本放送協会

この技術でできること

高度な数式を通じて半導体膜の電荷密度を算出する特許技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体膜のフラットバンド条件でのフェルミ準位を計算し、それを数々の方程式に代入して電荷担体密度を算出し、その結果を活用して各種の電流値を得るための技術です。具体的には、フェルミ準位演算手段と電荷担体密度演算手段を使用し、半導体膜のホール容度、電子密度、ドナー型欠陥のディープステート、アクセプタ型欠陥のテールステートにおける密度を計算します。また、電圧とフラットバンド電圧の差を境界条件として、ポテンシャル分布を数値解析します。この技術は、半導体の設計や分析、特性評価などの領域で大いに活用できます。

AIによる特許活用案

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高精度な半導体設計への活用

この技術を使用することで、半導体の電荷密度を正確に計算し、その結果をもとに半導体の設計を最適化することが可能になります。これにより、より高性能な半導体製品開発が可能になり、市場競争力を強化することが期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2012-186015
発明の名称: ドレイン電流のシミュレーション装置及びドレイン電流のシミュレーションプログラム
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2014-045050
登録番号: 特許第6108519号

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