シリコンナノ粒子を活用した次世代発光増強基板＆発光素子

国立大学法人広島大学

広島県東広島市鏡山１－３－２　本部棟２Ｆ

この技術でできること

光の強度を増強し、消光を防ぐシリコンナノ粒子を用いた発光増強基板及び発光素子の開発

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、強い局在電場を生み出すシリコン（Si）ナノ粒子を用いた発光増強基板及び発光素子に関するものである。この発明では、シリコンナノ粒子が光照射を受けると、その光照射により生成した散乱光を生じる局在電場を発生し、さらに消光を防ぐことが可能であることが明らかにされている。これにより、発光体の発光強度を増強し、同時に消光を強く抑制することが可能となる。これは、金属ナノ粒子を使用した従来の方法と比較して、光の増強度を大幅に向上できる可能性を秘めている。

AIによる特許活用案

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高性能表示デバイスの開発

強い局在電場を発生し、消光を防ぐシリコンナノ粒子の利用は、発光強度を増強し、高解像度で明るい表示デバイスの開発に貢献する可能性があります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2012-174848
発明の名称: 発光増強基板及び発光素子
出願人／権利者: 国立大学法人広島大学
住所: 広島県東広島市鏡山１－３－２　本部棟２Ｆ
公開番号: 特開2014-035813
登録番号: 特許第6027815号

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