先進的な炭化天素除去方法の特許

大陽日酸株式会社

東京都品川区小山１－３－２６

この技術でできること

半導体製造における炭化天素除去方法を効率化する特許です。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体製造における炭化天素除去方法について詳述しています。具体的には、炭化天素を形成後、成膜装置の一部に堆積した炭化天素を除去する手法を提供しています。除去工程後、炭化天素膜を再び形成し、基板を取り出す工程を順次行います。さらに、付着物除去工程後、成膜チャンバ内を水素により加熱パージする工程が含まれています。この加熱パージ工程では、水素をプラズマ化させることが特徴です。これらの手法は、炭化天素の堆積を効率良く除去し、半導体製造の品質と生産性を向上させることが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界電子部品製造業自動車業界

半導体製造工程の最適化

本特許の炭化天素除去方法を半導体製造工程に導入することで、生産性と品質を向上させることが可能です。特に、高温で動作する半導体素子の製造において有用でしょう。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2012-127018
発明の名称: 炭化珪素除去方法
出願人／権利者: 大陽日酸株式会社
住所: 東京都品川区小山１－３－２６
公開番号: 特開2013-251487
登録番号: 特許第5933347号

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