高電圧電力半導体装置の進化

国立大学法人九州工業大学

福岡県北九州市戸畑区仙水町１番１号

この技術でできること

小型化と高性能化を実現する高電圧電力半導体装置

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、600-1200Vの範囲で使用される高電圧電力半導体装置に関するものです。特に、パワー半導体の小型化に対する課題を解決するための新たな技術を提供します。従来の半導体装置では、チップの終端部の寸法が小型化の障害となっていました。本発明では、チップの終端部にトレンチを形成し、その内部に誘電率が2.65～11.1の絶縁体を充填することで、高電圧を一定の範囲内で保持しながらも、小型化を可能にしました。また、絶縁体の誘電率を適切に調整することで、信頼性と耐久性も向上します。このような構造はパワー半導体の高性能化に寄与し、より広範な用途での利用を可能にします。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業自動車業界エネルギー業界

小型電子機器への応用

小型化が求められるスマートフォンやウェアラブルデバイスなどの電子機器に本発明を応用することで、性能を損なうことなく小型化を進めることが可能となります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2012-123461
発明の名称: 高電圧電力用半導体装置
出願人／権利者: 国立大学法人九州工業大学
住所: 福岡県北九州市戸畑区仙水町１番１号
公開番号: 特開2013-251338
登録番号: 特許第6153151号

登録情報の修正申請