高温耐性半導体製造の新たな進化

大陽日酸株式会社

東京都品川区小山１－３－２６

この技術でできること

炭化天素成膜装置のクリーニング方法の効率化と部材の損傷抑制

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、炭化天素成膜装置のクリーニング方法を改善する技術です。具体的には、炭化天素の成膜チャンバー内に堆積した炭化天素や炭素成分を効率よく除去する技術を提供します。さらに、クリーニングの過程で部材が損傷することを防ぐ工夫も含まれています。この技術は、プラズマ化したフッ素含有ガスと酸素含有ガスを使用して付着物を除去する除去処理を行った後、不活性ガスを吹き付けて付着物を除去する除去処理を繰り返します。そして、排出されるガス中の所定のガスの濃度を分析し、その濃度が所定の値以下になったら除去処理を終了します。これにより、クリーニングの効率化と部材の損傷抑制が実現可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業自動車産業

高温耐性半導体の製造効率向上

本特許の技術を使用することで、炭化天素成膜装置のクリーニング作業が効率化され、結果的に半導体の製造効率が向上します。これは半導体製造業において大きなメリットとなります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2012-121874
発明の名称: 炭化珪素除去方法
出願人／権利者: 大陽日酸株式会社
住所: 東京都品川区小山１－３－２６
公開番号: 特開2013-247331
登録番号: 特許第5904877号

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