新次元の半導体基板の製造法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

III族窒化物半導体基板の製造法に関する特許で、特定の角度と曲率を持つ半導体層を作成する方法が詳述されています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、III族窒化物半導体基板の製造法に関するもので、特定の角度と曲率を持つ半導体層を作成する方法が詳述されています。特に、第1のc軸と第2のc軸の角度を測定し、これらのc軸が同一平面上に存在しない場合、第2のc軸を第1の平面に投影した仮想第2のc軸と第1のc軸との角度を測定する手法が紹介されています。さらに、特定の曲率を持つ半導体層を作成するための算出方法も提供されています。これにより、より高品質で効率的な半導体基板の製造が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業マイクロエレクトロニクス

高品質な半導体基板の製造

本特許の製造法を利用することで、特定の角度と曲率を持つ高品質な半導体基板を製造することが可能となります。これにより、製品の性能向上と製造コストの削減が期待できます。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2012-088445
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2013-216538
登録番号: 特許第5937408号

登録情報の修正申請