革新的な量子ドット形成方法で効率的な太陽電池を実現

国立大学法人電気通信大学

東京都調布市調布ケ丘１丁目５−１

この技術でできること

InAs量子ドットの形成方法を使用した太陽電池の製造に関する特許技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、InAs量子ドットの形成方法を使用した太陽電池の製造に関するものです。具体的には、GaAsバッファ層上にInAs量子ドットを成長させる技術が提案されています。この方法により、量子ドットの面内密度が高まり、量子ドットの伝導帯および価電子帯の中に中間バンドが形成されます。これにより、太陽電池の効率が大幅に向上します。また、本特許技術は、リソグラフィやエッチングなどの加工を必要とせず、比較的簡単なプロセスで量子ドットを形成できます。これにより、製造コストを抑えつつ、高効率な太陽電池を製造することが可能となります。

AIによる特許活用案

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太陽電池の製造プロセスの改善

本特許技術を太陽電池の製造プロセスに活用することで、製造コストを抑えつつ、太陽電池の効率を大幅に向上させることが可能です。特に、量子ドットの形成プロセスを簡易化し、その結果として製造コストを下げることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-034949
発明の名称: 量子ドットの形成方法および太陽電池
出願人／権利者: 国立大学法人電気通信大学
住所: 東京都調布市調布ケ丘１丁目５−１
公開番号: 特開2013-211535
登録番号: 特許第6115938号

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