革新的な強磁性トンネル接合体技術

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

トンネルバリア層の非磁性酸化物の元素構成による強磁性トンネル接合体の開発

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、トンネルバリア層の非磁性酸化物の元素構成によって強磁性トンネル接合体を特徴づける技術に関するものです。トンネルバリア層の非磁性酸化物の元素構成が様々な化合物であることを特徴とする強磁性トンネル接合体の具体的な構成が提案されています。また、この強磁性トンネル接合体を用いた磁気抵抗効果素子やスピントロニクスデバイスの開発も提案されています。これにより、より高性能な磁気デバイスや電子機器の開発が可能となります。

AIによる特許活用案

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高性能磁気デバイスの開発

本特許の技術を活用すれば、高性能な磁気デバイスを開発することが可能になります。特に、磁気抵抗効果を利用したデバイスの性能向上が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2012-039582
発明の名称: 強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2013-175615
登録番号: 特許第5988019号

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