革新的な半導体膜演算技術

日本放送協会

この技術でできること

一連の方程式を用いて半導体膜の特性を分析するための特許技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体膜のフラットバンド条件でのホール密度、電子密度、正に帯電したドナー型欠陥のディープステートの密度、負に帯電したアクセプタ型欠陥のディープステートの密度、及び負に帯電したアクセプタ型欠陥のテールステートの密度を算出するための方程式に基づいた技術です。これにより、半導体膜の電荷担体密度を精密に算出することが可能となります。さらに、ポテンシャル分布、キャリア分布密度、キャリア面密度も算出することができ、半導体膜の特性をより詳細に理解することが可能になります。この技術は、半導体技術の進化を促進し、より効率的かつ精密な半導体製品の開発に寄与します。

AIによる特許活用案

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高精度半導体製品の開発

本特許の技術を活用することで、半導体膜の特性をより詳細に理解し、それに基づいて高精度な半導体製品を開発することが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2011-280327
発明の名称: ドレイン電流のシミュレーション装置及びドレイン電流のシミュレーションプログラム
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2013-131640
登録番号: 特許第5906079号

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