高性能な積層型半導体装置

日本放送協会

この技術でできること

高効率・高性能の半導体素子を利用した積層型半導体装置とその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、MOSトランジスタを用いた積層型半導体装置とその製造方法に関するものです。特に、第1の半導体素子がPチャネルMOSトランジスタであり、第2の半導体素子がNチャネルMOSトランジスタである積層型半導体装置について述べています。この装置では、NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタのドレイン同士が接続されたCMOSを特徴とします。製造方法についても詳述されており、特に第1と第2のゲート同士を含めて前記第1の表面と前記第2の表面を直接接合により接合する工程が含まれています。これにより、効率的かつ安定した半導体装置の製造が可能となります。

AIによる特許活用案

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高性能積層型半導体の製造

本特許の製造方法を用いれば、高性能な積層型半導体装置を製造することが可能です。特に、電子機器や通信機器などの高性能化、省エネ化に貢献できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2011-228710
発明の名称: 積層型半導体装置及びその製造方法
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2013-089752
登録番号: 特許第5956736号

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