革新的な表面ポテンシャルのシミュレーション装置

日本放送協会

この技術でできること

精密な半導体膜の解析を可能にする新たなシミュレーション装置

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、半導体膜の解析に必要な表面ポテンシャルを高精度にシミュレートする装置が提案されています。具体的には、複数のゲート電圧を順次設定し、予め定められたソース電圧との差をソース間の電圧として用いることで、裏面ポテンシャルと表面ポテンシャルを精度良く算出します。さらに、この装置は計算範囲設定手段を持ち、裏面ポテンシャルを用いて表面ポテンシャルの電圧依存性を計算します。これにより、半導体膜のフラットバンド条件や真性キャリア密度等の重要なパラメータを正確に把握することが可能となり、より精密な半導体膜の解析と設計が可能となります。

AIによる特許活用案

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半導体デバイスの設計改善

本シミュレーション装置を使用することで、半導体デバイスの表面ポテンシャルを正確に計算し、その結果を元にデバイスの設計を改善することが可能となります。これにより、デバイスの性能向上やコスト削減を図ることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2011-220586
発明の名称: 表面ポテンシャルのシミュレーション装置及び表面ポテンシャルのシミュレーションプログラム
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2013-080847
登録番号: 特許第5839922号

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